尺寸增加了最近上市的三个SIC MOSFET

电力电子一直是电气工程中的重要领域，但是最近它的重要性已成为诸如太阳能和电动汽车等领域的中心舞台。这些蓬勃发展的行业的核心是设备技术的重要创新：碳化硅（SIC）MOSFET。

SIC MOSFET，尤其是1200 V MOSFET，已经考虑了功率效率。根据Littelfuse和Power Semiconductors的说法，他们因其电阻低，快速切换时间和高击穿电压。快速切换时间和低r_DS（ON）操作时允许减少功率耗散。高击故障电压使MOSFET可以在极端电源条件下运行而不会失败。结合这三个，您将获得一个有用的高电源系统设备。

仅在过去的几周内，多家公司就发布了新一代的SIC MOSFET。为了本文，我们将研究三菱N系列SIC MOSFET，ROHM半导体第四代SIC MOSFET，以及Alpha和Omega Semiconductor的最新SIC MOSFET版本。

三菱的N系列MOSFET

面向EV的公司三菱电气公司，打破了他们新的N系列MOSFET的消息大概一个月前。用他们的话来说，这项创新将允许“电源系统的低功耗和微型化，例如电动汽车电动机充电器”。

三菱N系列MOSFET量度为40毫米。图像三菱电

N系列有一个_DS（ON）与传统的SI-IGBT相比，据说该设备低至22MΩ，最大电流为102A。该设备可将电源系统的功耗提高85％。根据三菱研究，这些规格为N系列提供了1,450MΩ·NC的行业领先数字。

Rohm的第四代SIC MOSFET

与引入他们的第四代SIC MOSFET，ROHM半导体可减少40％_DS（ON）与他们的第三代相比。

Rohm的第四代SIC MOSFETS RDS（ON）与V。_GS。图像ROHM半导体

与v_GS在15 V中，这些MOSFET声称为R_DS（ON）低至14MΩ。固有地，降低r_DS（ON）导致较大的寄生电容 - 值得注意的重要权衡。

然而，与常规产品相比，ROHM声称已经减少了其闸门电容，从而减少了开关损失50％。由于这个消息是如此新鲜，因此尚未发布许多规格，例如IDMAX和功绩形象。无论如何，新一代的许多令人印象深刻的规格在电力应用中表现出很高的希望。

Alpha和Omega的SIC MOSFET

最后，Alpha和Omega半导体最新的SIC版本还提供令人兴奋的改进。他们已经在生产中AOK065V120X2提供诸如r之类的规格_DS（ON）在V处的65MΩ_GS15 V.这些MOSFET的最大电流额定值为85 A。

Alpha和Omega半导体的SIC MOSFET R_DS（ON）与温度相比。图像阿尔法和欧米茄半导体

尽管这些规格并不像Rohm和Mitsubishi所提供的那样令人印象深刻，但消息仍然很重要。首先，该新闻代表了Alpha和Omega进入SIC市场。其次，这是当前生产中三个设备的唯一设备。Rohm设备的消息只有一天的历史，三菱指出，样品发货将于今年7月开始。

调整三个

尽管Rohm的第四代SIC MOSFET似乎拥有最令人印象深刻的规格（据我们所知），但这些新设备中的任何一个都对其前身进行了重大改进。每个设备都可以在传统的硅MOSFET无法切割的高功率应用中提供巨大的好处。

结果，太阳能和电动汽车等行业可以以节能以及较小的系统的形式看到显着的好处。较小，更强大的设备通常代表节省成本和环保占地面积。

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