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高压设计:二极管公司的新的三相半桥驱动器。

2017年12月6日经过尼克·戴维斯

Diodes Incorporated宣布了一个新的三相半桥门驱动程序,具有多个保护功能以及驾驶N通道MOSFET和IGBT的能力。

Diodes Incorporated宣布了一个新的三相半桥门驱动程序,具有多个保护功能以及驾驶N通道MOSFET和IGBT的能力。

Diodes Inc.最近宣布了他们的新DGD2136,这是一个三相的半桥闸门驱动程序,旨在简化驱动电路bldc(无刷直流)电动机和PMSM(永久磁铁同步电动机)。

DGD2136专为应用程序设计:

  • 洗衣机,冰箱和其他白色商品
  • 空调单元
  • 电动工具,机器人技术和其他工业电动机逆变器
  • 通用三相逆变器

图1。DGD2136,来自Diodes Inc.,是家庭电器,电动工具和工业电机应用的3阶段运动驱动器。从DGD2136新产品公告(PDF)。

使用标准TTL和CMOS输入水平的高压和高速应用

将此SO-28驱动器与微控制器连接到微控制器,从而使其在Bootstrap操作中切换到600V的能力使其与标准兼容的逻辑输入在Bootstrap操作中变得更加容易TTL和CMOS逻辑信号电压水平

尽管上升时间,秋季时间以及关闭和转交繁殖延迟的延迟略有差异,但由于温度和供应电压的函数,所有这些时机都在数十至数百个NS的范围内,这似乎令人印象深刻。但是,与其他高速三相门驱动器相比,这些定时特性并不是例外。

图2。打开并关闭繁殖延迟与供应电压和温度。从数据表(PDF)。

图3。高侧和低侧上升时间和秋季时间与供应电压和温度。从数据表(PDF)。

保护功能

该设备提供了多种保护功能,包括射门保护,UVLO(欠压锁定)和过电流保护;一般说明部分和“引脚说明”表(该表的第3页数据表)简要描述这些功能。

UVLO和过电流保护功能与自动故障清除计时器绑定,该计时器可与外部电容器调节 - 这真的很好。不太好的是不知道电容器值与故障清除计时器的持续时间之间的关系...因为当前数据表中缺少此信息。

包装和布局信息

根据它的数据表,此IC仅在SO-28软件包中可用。鉴于其更大的尺寸,将设备的手工置换和手工焊接设备不会太具有挑战性。

图4。IC仅在SO-28软件包中可用。从数据表(PDF)。

数据表还包括IC的建议的垫布局。为了简化验证该垫布局与最新版本一致的任务,包装概述Diodes Inc.上的页面网站嵌入了数据表中(请参见下图)。这是超级方便的!

数据表警告我们要注意高压设计实践:

图5。PAD布局信息,包括指向Diodes Inc.的最新软件包/轮廓版本和高压音符的链接。从数据表(PDF)。

但是,在数据表中提供一些通用准则将很有帮助。

无论如何,这对我们这些很少设计电路的人来说是一个很好的提醒,例如12v。如果您想对高压设计中涉及的额外注意事项有一个一般的了解,本文从Mouser那里可能是一个不错的起点。

宽工作温度范围

鉴于该设备被设计用于工业应用,因此该IC的宽环境工作温度范围(-40°C至 +125°C)并不奇怪。提醒您,除军事级以外的所有其他温度等级(即-55°C至 +125°C)外,这种环境延长的温度范围比所有其他温度等级宽。

但是请注意,当在周围温度大于90°C的环境温度下工作时,偏移供应泄漏电流开始明显增加(请参见下图)。尽管大约5mA的最大泄漏电流(在 +125°C下发生)仍然很低,但在25°C时却大于〜100NA。

图6。抵消供应泄漏电流与温度;注意较高温度下的急剧增加。从数据表(PDF)。

您是否有机会使用这个新的三相Half Bridge Gate驱动程序?如果是这样,请发表评论,并告诉我们您的经历。

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